Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é ...

Questão 784944 | Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, Ensino Médio

Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?

a) Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.
b) Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.
c) Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.
d) Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.
e) Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.

Questão 784944: Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é ...

Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal fi...